2006-01

Study of the Electronic delocalization in Silicon organic derivatives of benzene and their corresponding anion radicals

Galarza, Esperanza

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http://hdl.handle.net/10614/262
Title: Study of the Electronic delocalization in Silicon organic derivatives of benzene and their corresponding anion radicals
Authors: Galarza, Esperanza
Micolta, Germania
Vargas, Rubén A.
Keywords: Silicon compounds
Aniones
Compuestos de silicio
Anions
Electrochemical analysis
Issue Date: Jan-2006
Publisher: Universidad Autónoma de Occidente
Citation: El hombre y la máquina no. 26 (ene.-jun. 2006); p. 124-129
Abstract: Se sintetizaron y caracterizaron por IR, RMN-1H y análisis elemental los compuestos organosilados feniltrimetilsilano (1), 1,4-bis (trimetilsilil) bencen o (2), difenildimetilsilano (3) y 1,1,2,2-dibenzobis(dimetilsilan o) (4) y se redujeron a los correspondientes aniones radicales organosilados: (trimetilsilil)feniluro de potasio (1a), 1,4-bis(trimetilsilil)feniluro de potasio (2a), dimetilsilidifeniluro de potasio (3a), 1,1,2,2-bis(dimetilsililfeniluro) de potasio (4a). El estudio de deslocalización electrónica se realizó por técnicas de espectroscopía ultravioleta (UV) y de impedancia compleja. La espectroscopía UV evidenció un desplazamiento batocrómico en el siguiente orden: aniones radicales organosilados, organosilados precursores y carbonados análogos, consistente con la delocalización electrónica. Por espectroscopía de impedan cia, se obtuvo información acerca del tipo de impedancia y de la magnitud de la conductividad dc para compuestos carbonados como para organosilados y aniones radicales organosilados, ubicando a los organosilados derivados del benceno y a sus correspondientes compuestos reducidos en el rango de los semiconductores y a los carbonados análogos en el de los no conductores.
URI: http://hdl.handle.net/10614/262
ISSN: 0121-0777
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